onsemi FDS89141 MOSFET

onsemi MOSFET, canale N, 107 mΩ, 3,5 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 31 W, Configurazione transistor: Isolato, Tensione ...onsemi MOSFET, canale N, 107 mΩ, 3,5 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 31 W, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDS89141