Infineon MOSFET canale N 9 mΩ IRFB3607PBF

MOSFET Infineon IRFB3607PBF 1, canale N, TO-220AB, 3 Pin HEXFET Singolo Si Corrente massima continuativa di drain : 80 a Tensione massima drain source : 75 v Tipo di montaggio : Su foro Resistenza massima drain source : 9 mω Modalità del canale : Enhancement Tensione di soglia ...MOSFET Infineon IRFB3607PBF 1, canale N, TO-220AB, 3 Pin HEXFET Singolo Si Corrente massima continuativa di drain : 80 a Tensione massima drain source : 75 v Tipo di montaggio : Su foro Resistenza massima drain source : 9 mω Modalità del canale : Enhancement Tensione di soglia gate massima : 4v Tensione di soglia gate minima : 2v Dissipazione di potenza massima : 140 w Tensione massima gate source : -20 v, +20 v Altezza : 9.02mm